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[发明专利]具有再分布结构的半导体封装件-CN202211151750.X在审
发明人：尹玉善;金智英;金真渶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体封装件包括再分布结构和至少一个半导体芯片，所述再分布结构包括：堆叠的多个再分布绝缘层、位于所述多个再分布绝缘层的上表面和下表面上并且构成处于彼此不同的垂直高度处的多个分布层的多个再分布线路图案以及穿过所述多个再分布绝缘层中的至少一个再分布绝缘层并且连接到所述多个再分布线路图案中的一些再分布线路图案的多个再分布通路，所述至少一个半导体芯片位于所述再分布结构上并且电连接到所述多个再分布线路图案和所述多个再分布通路。
具有再分结构半导体封装

[发明专利]具有再分布线结构的扇出型半导体封装件-CN201910450006.1在审
发明人：金钟润;李锡贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供了一种包括再分布线结构的扇出型半导体封装件。扇出型半导体封装件包括：再分布线结构，所述再分布线结构包括多个再分布线绝缘层和多个再分布线图案，每一个所述再分布线图案位于所述多个再分布线绝缘层中的一个再分布线绝缘层的上表面和下表面之一上；至少一个半导体芯片，所述至少一个半导体芯片布置在所述再分布线结构上并且所占据的覆盖区域的水平宽度小于所述再分布线结构的水平宽度；以及模制构件，所述模制构件在所述再分布线结构上包围所述至少一个半导体芯片并且所述模制构件的水平宽度小于所述再分布线结构的水平宽度，其中，所述多个再分布线绝缘层具有阶梯结构。
再分布线结构绝缘层半导体芯片模制构件半导体封装件布线图案扇出型覆盖区域阶梯结构上表面下表面包围占据

[发明专利]再分布结构及其制作方法和再分布凸点及其制作方法-CN200710040237.2有效
发明人：王继明;李润领;靳永刚;梅娜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种再分布结构，包括：表面具有第一钝化层的晶片；第一开口，位于第一钝化层内并暴露出晶片表面；再分布金属层，位于第一钝化层上并填充第一开口；第二钝化层，覆盖再分布金属层；第二开口，位于第二钝化层内，并暴露出再分布金属层本发明还提供了所述再分布结构的形成方法和包含所述再分布结构的再分布凸点及其形成方法。本发明再分布结构以及再分布凸点的结构简单，形成再分布结构以及再分布凸点的工艺步骤少，工艺简单。
再分结构及其制作方法布凸点

[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201611177412.8有效
发明人：王智东;傅俊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供器件晶圆，在器件晶圆上形成第一钝化层、再分布线以及第一再分布焊盘和第二再分布焊盘；形成覆盖再分布线、第一再分布焊盘和第二再分布焊盘的第二钝化层和光刻胶层；对光刻胶层进行图形化，以形成用于暴露所述第一再分布焊盘的第一开口，和用于暴露所述第二再分布焊盘的第二开口；以光刻胶层为掩膜刻蚀第二钝化层，以暴露第一再分布焊盘表面，以及暴露第二再分布焊盘的表面和部分第二再分布焊盘侧壁，同时在第二再分布焊盘底部形成间隙壁。该半导体器件的制作方法可以克服目前的再分布焊盘制作工艺复杂，容易出现穿通的问题。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。
半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]半导体封装件-CN202111152196.2在审
发明人：金原永;姜善远 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：公开了一种半导体封装件，其包括：半导体芯片，所述半导体芯片包括位于所述半导体芯片的一个表面上的芯片焊盘；再分布图案，所述再分布图案位于所述半导体芯片的所述一个表面上并且电连接至所述芯片焊盘；以及光敏介电层，所述光敏介电层位于所述半导体芯片与所述再分布图案之间。所述光敏介电层可以与所述再分布图案物理接触。所述再分布图案包括信号再分布图案、接地再分布图案和电力再分布图案。所述芯片焊盘与所述信号再分布图案之间的垂直距离可以大于所述信号再分布图案的宽度。
半导体封装

[发明专利]再分布器-CN201010201910.8无效
发明人：潘小明;李执阶;潘新明;廖志年 -专利权人：江苏大明科技有限公司
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： B01D53/18 文献下载
摘要：一种再分布器，用于使三氯化磷气体与洗磷液气液相充分交换，其特征是主要由底板(1)、V形板帽(3)、围堰圈(5)和洗磷液堰槽(8)组成，所述底板(1)周围设有围堰圈(5)，围堰圈(5)内设有若干洗磷液堰槽本发明的再分布器能使气液相得到了进一步充分接触，克服了微小颗粒物及游离磷容易沿着洗磷塔壁或与气体夹带经冷凝器冷凝进入三氯化磷液体成品中的弊端。
再分

[实用新型]再分布器-CN201020226976.8有效
发明人：潘小明;李执阶;潘新明;廖志年 -专利权人：江苏大明科技有限公司
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： B01D53/18 文献下载
摘要：一种再分布器，用于使三氯化磷气体与洗磷液气液相充分交换，其特征是主要由底板(1)、V形板帽(3)、围堰圈(5)和洗磷液堰槽(8)组成，所述底板(1)周围设有围堰圈(5)，围堰圈(5)内设有若干洗磷液堰槽本实用新型的再分布器能使气液相得到了进一步充分接触，克服了微小颗粒物及游离磷容易沿着洗磷塔壁或与气体夹带经冷凝器冷凝进入三氯化磷液体成品中的弊端。
再分

[实用新型]再分布器-CN201820423498.6有效
发明人：陈宏江 -专利权人：醴陵市威特分离技术有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： B01J4/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种再分布器，它包括液体收集盘和升气管，所述液体收集盘具有收集腔；所述升气管安装在液体收集盘上，并且所述升气管的上端部伸入所述收集腔内，所述升气管的下端部伸出所述收集腔外，所述升气管的上端呈封闭状
升气管收集腔液体收集盘本实用新型再分布器伸入气液传质效率下端开口封闭状开口状上端部下端部液流孔上端下端堵塞伸出

[发明专利]中介结构和包括其的半导体封装-CN202211389731.0在审
发明人：卢宝仁;安正勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种中介结构包括：中介基板；中介贯通电极，在垂直方向上穿透中介基板；再分布结构，在中介基板上并包括连接到中介贯通电极的再分布图案以及在中介基板上在再分布图案的侧表面上的再分布绝缘层；导电柱，在再分布结构上并连接到再分布图案；以及中介绝缘层，在再分布结构上在导电柱的侧表面上。
中介结构包括半导体封装

[实用新型]气液再分布器-CN201720198193.5有效
发明人：陈小慧 -专利权人：上海梅思泰克环境股份有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： B01D53/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种气液再分布器，包括上体和下体，所述上体包括气体再分布器、液体再分布器，气体再分布器位于液体再分布器内部；所述下体包括气流通道、集液槽和液体引流管，气流通道、集液槽同轴分布在液体引流管的上方所述液体再分布器为正圆锥结构，气体再分布器为倒圆锥结构，气体再分布器的底端与液体再分布器的内壁无缝连接。
再分

[发明专利]半导体封装件-CN202210933160.6在审
发明人：姜政勋;庾炳玟;李廷炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体封装件包括：下再分布结构，包括下再分布绝缘层、位于所述下再分布绝缘层中的凸块焊盘和电连接到所述凸块焊盘的下再分布图案，其中，所述下再分布绝缘层包括一个或更多个侧壁，所述一个或更多个侧壁限定从所述下再分布绝缘层的底表面延伸到所述下再分布绝缘层的上表面的腔；无源组件，所述无源组件位于所述下再分布绝缘层的所述腔中；绝缘填料，所述绝缘填料位于所述下再分布绝缘层的所述腔中，并且覆盖所述无源组件的侧壁；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片位于所述下再分布结构上，并且电连接到所述下再分布图案和所述无源组件二者；以及外部连接凸块，所述外部连接凸块经由所述下再分布绝缘层的焊盘开口连接到所述凸块焊盘。
半导体封装

[发明专利]终端在无线通信系统中计算再分配范围的方法和装置-CN201680026555.0有效
发明人：具官谟;郑圣勋 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H04W28/08 文献下载
摘要：提供了一种终端在无线通信系统中计算再分配范围的方法以及支持该方法的装置。终端可从网络接收再分配因子，并且基于所接收的再分配因子当中的有效再分配因子来计算再分配范围。
终端无线通信系统计算再分范围方法装置

[发明专利]制造半导体器件的方法和封装件-CN201910774022.6有效
发明人：吴俊毅;谢静华;余振华;刘重希;王守怡;陈建勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：该方法包括形成器件结构，该方法包括在半导体器件上方形成电连接至半导体器件的第一再分布结构，形成围绕第一再分布结构和半导体器件的模塑材料，在模塑材料和第一再分布结构上方形成第二再分布结构，第二再分布结构电连接至第一再分布结构，将互连结构附接至第二再分布结构，互连结构包括核心衬底，互连结构电连接至第二再分布结构，在互连结构的侧壁上以及第二再分布结构和互连结构之间形成底部填充材料。
制造半导体器件方法封装

[发明专利]半导体封装件、以及具有半导体封装件的叠层封装件-CN202011264611.9在审
发明人：任忠彬;金正雨;金知晃;卞贞洙;沈钟辅;李斗焕;崔敬世;崔正坤;表声磤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体封装件包括：再分布层，其包括多个再分布绝缘层、构成下布线层的多个再分布线图案、以及在穿透多个再分布绝缘层中的至少一个再分布绝缘层的同时连接到多个再分布线图案中的一些再分布线图案的多个再分布通孔；至少一个半导体芯片，其被布置在再分布层上；扩展层，其围绕再分布层上的至少一个半导体芯片；以及覆盖布线层，其包括至少一个基本绝缘层、构成上布线层的多个布线图案、以及在穿透至少一个基本绝缘层的同时连接到多个布线图案中的一些布线图案的多个导电通孔
半导体封装以及具有

[发明专利]一种半导体封装结构的制作方法及半导体封装结构-CN202210000409.8在审
发明人：许飞 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装结构的制作方法及半导体封装结构，所述制作方法包括：提供一管芯；在所述管芯上方制作再分布层，所述制作再分布层的步骤包括：在所述管芯上方制作第一再分布金属层；利用化学镀工艺或电镀工艺在所述第一再分布金属层上方制作惰性金属层；其中，所述第一再分布金属层包括多个再分布金属块，所述多个再分布金属块之间保持原有的电气连接或电气断开关系。惰性金属的金属特性稳定，并且利用电镀工艺或化学镀工艺制作的惰性金属层能够均匀且完整的覆盖再分布金属块的需要被覆盖的部分或全部侧壁，能够有效解决第一再分布金属层的再分布金属块之间漏电的问题。
一种半导体封装结构制作方法

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